调整内存时序确实能提升性能，尤其是对 Ryzen 平台，内存延迟敏感。你的目标是 CL16，对于海力士颗粒的 3200MHz 内存，通常可以做到 CL16-18-18-38 左右，电压加到 1.35V 是比较安全的。具体步骤：
1. 进入 BIOS，找到内存时序设置。先将频率锁定在 3200MHz，然后依次调整主时序：tCL=16, tRCD=18, tRP=18, tRAS=38。其他时序可以先保持 Auto。
2. 电压方面，将 DRAM Voltage 设为 1.35V（最高建议 1.4V 以内，但 1.35V 更安全）。同时可以稍微提高 SOC Voltage 到 1.1V 左右，有助于内存控制器稳定。
3. 保存重启后，用 MemTest86 或 TestMem5 (TM5) 跑稳定性测试。如果出现报错，可以尝试放宽时序到 CL16-18-18-40 或 CL16-20-20-38，或者稍微增加电压到 1.36V-1.37V。
4. 稳定性测试建议跑至少 3 个循环的 TM5 (extreme config) 或 1 小时 MemTest86。通过后可以进一步优化小参，比如 tRFC 可以尝试从默认的 560 降到 400-450 左右，能进一步降低延迟。
如果你的内存体质一般，可能无法稳定在 CL16，可以退而求其次 CL18-20-20-40，电压 1.35V，延迟也会比默认的 CL22 好很多。另外，注意散热，内存温度超过 50°C 容易不稳定，可以加个风扇吹内存。